Análisis de Viabilidad del Anillo C de Metal en la Aplicación de Válvula de Puerta de Vacío
Creado 2025.12.28
Resumen: Como componente central que controla el encendido y apagado de medios en sistemas de vacío, el rendimiento de sellado de las válvulas de compuerta de vacío determina directamente el grado de vacío del sistema, la estabilidad operativa y la vida útil. Los anillos C de metal se utilizan cada vez más en campos de sellado de alta gama debido a su excelente resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, resistencia a la deformación y características de sellado a largo plazo. A partir de los requisitos de sellado de las válvulas de compuerta de vacío, este documento analiza sistemáticamente los indicadores de viabilidad centrales de los anillos C de metal en aplicaciones de válvulas de compuerta de vacío, como la adaptabilidad, la fiabilidad del sellado y la adaptabilidad a las condiciones de trabajo, combinados con sus ventajas estructurales y de rendimiento. Mientras tanto, se discuten problemas potenciales y soluciones correspondientes durante la aplicación, proporcionando referencias teóricas y prácticas para la aplicación ingenieril de los anillos C de metal en válvulas de compuerta de vacío.
1. Introducción
Las válvulas de compuerta de vacío se utilizan ampliamente en campos de alta gama como la fabricación de semiconductores, la industria fotovoltaica, el recubrimiento al vacío y la aeroespacial. Su función principal es realizar un encendido y apagado rápido y un sellado fiable de los sistemas de vacío. En estos escenarios de aplicación, el sistema a menudo plantea requisitos estrictos sobre los sellos, como un entorno de ultra alto vacío (presión ≤ 10⁻⁷ Pa), un amplio rango de temperatura (-50℃ ~ 500℃ y superior), medios corrosivos fuertes (como plasma, gas de escape de deposición de vapor químico) y requisitos de estabilidad para conmutaciones frecuentes a largo plazo.
En la actualidad, los sellos comúnmente utilizados para las válvulas de compuerta de vacío son principalmente sellos de goma (como juntas tóricas, materiales que incluyen fluororubber, silicona, etc.) y sellos metálicos (como juntas tóricas metálicas, anillos en C, sellos de placa de onda, etc.). Aunque los sellos de goma tienen ventajas como bajo costo y fácil instalación, son propensos al envejecimiento, volatilización (generando desgasificación), deformación y otros problemas bajo condiciones de alta temperatura, ultra alto vacío y fuerte corrosión, lo que lleva a una disminución del rendimiento de sellado y una vida útil acortada, lo que dificulta cumplir con los requisitos de operación estable a largo plazo de sistemas de vacío de alta gama.
Como un sello elástico de metal eficiente, la única estructura de sección transversal en forma de C de los anillos C metálicos les otorga una buena capacidad de compensación elástica. Mientras tanto, basándose en las excelentes características de los materiales metálicos, se destacan en resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, baja tasa de desgasificación y otros aspectos. Este documento tiene como objetivo demostrar la viabilidad de los anillos C metálicos en aplicaciones de válvulas de compuerta al vacío mediante el análisis de sus características estructurales y de rendimiento, combinado con el principio de funcionamiento del sellado y los requisitos de condiciones de trabajo de las válvulas de compuerta al vacío, y proponer direcciones técnicas optimizadas para su aplicación.
2. Características Estructurales y de Rendimiento del Núcleo de Anillos C de Metal
2.1 Características Estructurales
La sección transversal de los anillos C de metal tiene forma de "C", generalmente estampada a partir de una sola capa de chapa de metal delgada. Algunos productos de alta gama adoptan estructuras compuestas de múltiples capas o tratamientos de recubrimiento superficial (como galvanoplastia de oro, galvanoplastia de plata, galvanoplastia de níquel, etc.). Su ventaja estructural principal radica en que, cuando se someten a una carga de compresión axial, la abertura del anillo C experimentará una expansión elástica, haciendo que la superficie circular exterior (o interior) del sello se ajuste estrechamente con la pared de la ranura del sello para formar un sello de contacto lineal; al mismo tiempo, la pared lateral en forma de arco del anillo C puede absorber el desplazamiento causado por errores de ensamblaje, deformación del cuerpo de la válvula y cambios de temperatura a través de la deformación elástica, teniendo así una buena capacidad de compensación. Además, la estructura hueca del anillo C formará una cierta cámara de presión en su interior durante el proceso de compresión, mejorando aún más el efecto de sellado. Especialmente en el entorno de vacío, esta característica de sellado "auto-reforzante" es más significativa.
2.2 Características de Rendimiento del Núcleo
1. Excelente resistencia a altas temperaturas: Los anillos C de metal suelen estar hechos de materiales metálicos resistentes a altas temperaturas, como acero inoxidable (304, 316L), aleación Inconel, aleación Hastelloy, etc. El rango de temperatura de operación puede cubrir -200℃ ~ 800℃, y algunos materiales especiales pueden incluso funcionar de manera estable en entornos de alta temperatura superiores a 1000℃, lo que es muy superior a los sellos de goma (normalmente la temperatura máxima de operación ≤ 250℃).
2. Tasa de desgasificación baja, adecuada para ultra alto vacío: Los materiales metálicos tienen una alta estabilidad molecular y una volatilización extremadamente baja (tasa de desgasificación) en entornos de vacío. Después de tratamientos de superficie apropiados (como el recocido al vacío, pulido), la tasa de desgasificación se puede controlar por debajo de 10⁻¹⁰ Pa·m³/(s·m²), lo que puede cumplir con los requisitos de sellado de sistemas de ultra alto vacío (≤ 10⁻⁷ Pa). Sin embargo, los sellos de goma son difíciles de adaptar a entornos de ultra alto vacío debido a la fácil volatilización de los componentes orgánicos en sus propios materiales.
3. Fuerte resistencia a la corrosión: Los anillos C metálicos hechos de materiales de aleación resistentes a la corrosión o con tratamientos de recubrimiento superficial pueden resistir la erosión de medios corrosivos como ácidos, álcalis, sales y plasma, y son adecuados para sistemas de vacío con condiciones de trabajo corrosivas como la deposición de vapor químico (CVD) y el grabado por plasma. En contraste, los sellos de goma son propensos a la hinchazón y el envejecimiento en entornos de alta corrosión, con un alto riesgo de fallo en el sellado.
4. Fuerte capacidad de compensación elástica y alta fiabilidad de sellado: La estructura de sección transversal de los anillos C les confiere un amplio rango de deformación elástica, lo que puede compensar eficazmente el error de planitud de la superficie de sellado, la micro-deformación del cuerpo de la válvula ante cambios de temperatura o fluctuaciones de presión, y el desgaste causado por el cambio frecuente, asegurando una fiabilidad de sellado a largo plazo. Además, los materiales metálicos tienen una excelente resistencia a la fatiga y una vida útil mucho más larga que los sellos de goma, lo que puede reducir la frecuencia de mantenimiento y el tiempo de inactividad del sistema de vacío.
5. Excelente resistencia a la presión: Los anillos en C metálicos pueden soportar altas cargas de compresión axial. En sistemas de vacío con alta diferencia de presión (como el proceso de conmutación entre el sistema de vacío y la atmósfera), no son propensos a la deformación plástica o fallos, y su estabilidad de sellado es superior a la de los sellos de goma.
3. Análisis de los Requisitos de Sellado y Condiciones de Trabajo de las Válvulas de Puerta de Vacío
3.1 Principio de Funcionamiento del Sellado
El núcleo de sellado de la válvula de compuerta de vacío consiste en accionar la placa de la válvula a través de un mecanismo de accionamiento (como un cilindro, motor), de modo que el sello en la placa de la válvula se ajuste estrechamente con la superficie de sellado del cuerpo de la válvula, bloqueando el flujo de gas entre el sistema de vacío y el mundo exterior (o diferentes cámaras del sistema). Según las diferentes partes de sellado, se puede dividir en sellado de la placa de la válvula (sellado primario) y sellado del vástago de la válvula (sellado dinámico). Entre ellos, el sellado de la placa de la válvula determina directamente el rendimiento de sellado al vacío del sistema y es el enlace de sellado central. El efecto de sellado de la válvula de compuerta de vacío depende principalmente del grado de ajuste entre el sello y la superficie de sellado, la capacidad de compensación elástica del sello y la estabilidad del material.
3.2 Requisitos clave de condiciones de trabajo (refinamiento específico del campo)
1. Requisitos de grado de vacío: Los requisitos para el grado de vacío de las válvulas de compuerta de vacío en diferentes campos de aplicación varían significativamente, y los campos centrales muestran una tendencia hacia el ultra alto vacío. Entre ellos, el campo de los semiconductores (como los procesos de implantación iónica y deposición de películas delgadas en la fabricación de chips) tiene los requisitos más estrictos para el grado de vacío, que necesita alcanzar el nivel de ultra alto vacío (≤ 10⁻⁹ Pa), y algunos procesos avanzados incluso requieren ≤ 10⁻¹¹ Pa para evitar la contaminación de la superficie del wafer por gas residual y afectar el rendimiento del dispositivo; el campo fotovoltaico (como los procesos de recubrimiento PECVD y metalización de baterías de silicio cristalino) es principalmente de alto vacío a ultra alto vacío (10⁻⁶ ~ 10⁻⁸ Pa), lo que necesita garantizar la uniformidad y pureza de la capa de recubrimiento y prevenir defectos en la película causados por un grado de vacío insuficiente. Además, el bajo vacío (10⁵ ~ 10⁻¹ Pa) se utiliza principalmente para el pretratamiento de sistemas de vacío o el control de encendido y apagado de cámaras auxiliares en ambos campos.
2. Condiciones de trabajo de temperatura: Las condiciones de trabajo de temperatura en ambos campos muestran las características de "alta fluctuación y alto valor extremo", y hay diferencias significativas entre los procesos. El campo de los semiconductores tiene un rango de temperatura muy amplio. Por ejemplo, el proceso de deposición a baja temperatura debe llevarse a cabo en un entorno de baja temperatura de -100℃ a -50℃, mientras que los procesos de recocido y metalización a alta temperatura deben operarse en un entorno de alta temperatura de 400℃ a 800℃, y algunos procesos especiales pueden incluso alcanzar más de 1000℃, requiriendo que el sellado mantenga una elasticidad estable en un amplio rango de temperatura; el campo fotovoltaico se basa principalmente en condiciones de trabajo de temperatura media y alta. La temperatura del proceso de recubrimiento PECVD es generalmente de 200℃ a 450℃, y la temperatura del proceso de recocido de silicio cristalino puede alcanzar de 600℃ a 900℃. Hay ciclos frecuentes de calentamiento-enfriamiento (decenas de veces al día), lo que plantea requisitos extremadamente altos para la resistencia a la fatiga térmica del sellado. En contraste, los sellos de goma son propensos a la degradación y carbonización bajo las mencionadas condiciones de alta temperatura, y a la fractura quebradiza bajo condiciones de baja temperatura, lo que dificulta su adaptación.
3. Condiciones de trabajo medias: Ambos campos tienen medios corrosivos, y los requisitos para el control de la contaminación son estrictos. Los medios corrosivos en el campo de los semiconductores son más complejos. Por ejemplo, el proceso de grabado por plasma producirá plasma altamente corrosivo y gases de escape de reacción que contienen flúor, cloro, bromo, etc., y el proceso de deposición química de vapor (CVD) utilizará gases inflamables, explosivos y corrosivos como el amoníaco y el silano. Estos medios son fáciles de erosionar el sello y producir contaminantes, lo que requiere que el sello tenga una resistencia a la corrosión extremadamente fuerte y características de no liberación; los medios corrosivos en el campo fotovoltaico provienen principalmente del silano, gases de escape de amoníaco en el proceso PECVD y sustancias ácidas y básicas residuales en el proceso de limpieza. Aunque la corrosión es ligeramente menor que en el campo de los semiconductores, también requiere que el sello no tenga liberación de contaminantes para evitar afectar la eficiencia de conversión de las celdas fotovoltaicas. Además, los sistemas de vacío limpio en ambos campos prohíben estrictamente que el sello produzca volátiles o impurezas particuladas, y el problema de la liberación de compuestos orgánicos volátiles (COV) de los sellos de goma es difícil de resolver.
4. Frecuencia de operación: La demanda de conmutación de alta frecuencia de las líneas de producción automatizadas es significativa, y la estratificación de frecuencia es causada por las diferencias de proceso en el campo. En las líneas de producción de chips de alta gama (como procesos de 7 nm y inferiores) en el campo de los semiconductores, la frecuencia diaria de conmutación de las válvulas de compuerta de vacío puede alcanzar miles de veces (algunas cámaras clave incluso decenas de miles de veces), lo que requiere que el sello tenga una resistencia extrema a la fatiga y a la abrasión; en las líneas de producción a gran escala en el campo fotovoltaico, la frecuencia diaria de conmutación de las válvulas de compuerta de vacío suele ser de cientos a mil veces, lo que es inferior al del campo de los semiconductores, pero necesita operar continuamente durante un largo período de tiempo (generalmente solo se detiene para mantenimiento de 1 a 2 veces al mes), y tiene requisitos extremadamente altos para la estabilidad a largo plazo del sello. La vida útil de los sellos de goma generalmente solo puede soportar miles de conmutaciones. El reemplazo frecuente llevará al paro de la línea de producción y aumentará considerablemente los costos de mantenimiento.
5. Montaje y mantenimiento: Ambos campos persiguen soluciones de sellado "de bajo mantenimiento y de cambio rápido" para adaptarse a las necesidades de operación eficiente de las líneas de producción. Las cámaras de vacío en el campo de los semiconductores son en su mayoría diseños modulares de precisión. Los sellos deben adaptarse al estrecho espacio de la ranura de sellado y evitar contaminar la cámara durante el reemplazo, lo que requiere que los sellos sean fáciles de instalar y estén posicionados con precisión; el campo fotovoltaico tiene un alto grado de escala de línea de producción y una gran cantidad de equipos. Requiere que el proceso de reemplazo del sello sea simple y poco tiempo consumido, y que se adapte a la estructura de la ranura de sellado de las válvulas de compuerta de vacío de corriente principal existentes sin modificaciones a gran escala del cuerpo de la válvula. La personalización y el amplio rango de compresión de los anillos en C de metal pueden adaptarse mejor a las necesidades de montaje y mantenimiento de ambos campos.
4. Análisis de Viabilidad de la Aplicación de Anillos C Metálicos en Válvulas de Puerta de Vacío
4.1 Análisis de Adaptabilidad del Rendimiento de Sellado
La baja tasa de desgasificación de los anillos C metálicos los hace perfectamente adecuados para las necesidades de sellado de las válvulas de compuerta de ultra alto vacío. En el entorno de ultra alto vacío, los componentes orgánicos de los sellos de goma son fáciles de volatilizar, y la desgasificación generada dificultará mejorar el grado de vacío del sistema, y los volátiles pueden contaminar la cámara de vacío; mientras que los anillos C metálicos adoptan materiales metálicos de alta estabilidad, y después del tratamiento de recocido al vacío, la tasa de desgasificación puede reducirse a un nivel extremadamente bajo, lo que puede garantizar de manera efectiva la estabilidad del vacío del sistema de ultra alto vacío.
Al mismo tiempo, la capacidad de compensación elástica de los anillos C metálicos puede adaptarse eficazmente al error de planitud de la superficie de sellado de la válvula de compuerta de vacío. Aunque la superficie de sellado del cuerpo de la válvula de compuerta de vacío está mecanizada con precisión, todavía existen ligeras desviaciones de planitud, y el cuerpo de la válvula puede sufrir microdeformaciones bajo cambios de temperatura o fluctuaciones de presión. Durante el proceso de compresión del anillo C metálico, la expansión elástica de su estructura en forma de C puede hacer que la superficie de sellado se ajuste estrechamente a la pared de la ranura de sellado, formando un sellado de contacto lineal confiable, compensando eficazmente el error de mecanizado de la superficie de sellado y la deformación del cuerpo de la válvula, y asegurando la fiabilidad del sellado. Además, la característica de sellado auto-reforzante del anillo C puede mejorar aún más el efecto de sellado en el entorno de vacío: cuando el grado de vacío del sistema aumenta, la presión dentro del anillo C es inferior a la del entorno de vacío externo, lo que provoca que el anillo C se expanda aún más, aumentando la presión de ajuste de la superficie de sellado y logrando el efecto de "cuanto mayor es el vacío, mejor es el sellado". Esta característica es altamente consistente con las necesidades de sellado de la válvula de compuerta de vacío.
4.2 Análisis de Adaptabilidad de las Condiciones de Trabajo
1. Adaptabilidad a la temperatura: El rango de temperatura de operación de los anillos C de metal (-200℃ ~ 800℃) es mucho más amplio que el de los sellos de goma, que pueden adaptarse a las condiciones de trabajo de alta y baja temperatura de las válvulas de compuerta de vacío. En sistemas de vacío a alta temperatura (como recubrimiento al vacío, recocido a alta temperatura), los sellos de goma son propensos a envejecer, ablandarse e incluso carbonizarse, lo que lleva a fallos en el sellado; mientras que los anillos C de metal hechos de materiales de aleación resistentes a altas temperaturas pueden mantener una elasticidad y resistencia estructural estables en entornos de alta temperatura, y el rendimiento de sellado no se ve afectado. En sistemas de vacío a baja temperatura, los materiales metálicos tienen una excelente tenacidad a baja temperatura y no se endurecerán ni fracturarse de manera quebradiza debido a la baja temperatura como los sellos de goma, asegurando la fiabilidad del sellado.
2. Adaptabilidad media: Los anillos C de metal pueden resistir eficazmente la erosión de medios agresivos como el plasma y los gases de escape corrosivos al seleccionar materiales de aleación resistentes a la corrosión (como la aleación Hastelloy, la aleación Inconel) o al realizar tratamientos de recubrimiento superficial (como el dorado, el niquelado). En los procesos de grabado por plasma y CVD de la fabricación de semiconductores, los sellos de goma se oxidan y erosionan fácilmente por el plasma, lo que lleva a fallos en el sellado y a la generación de contaminantes; mientras que los anillos C de metal tienen una buena resistencia a la corrosión, pueden funcionar de manera estable durante mucho tiempo y no tienen liberación de contaminantes, lo que cumple con los requisitos de los sistemas de vacío limpios.
3. Adaptabilidad a la frecuencia de operación: La resistencia a la fatiga y la resistencia al desgaste de los materiales metálicos son muy superiores a las de los materiales de goma. En la válvula de compuerta de vacío con conmutación frecuente, los anillos en C de metal pueden soportar compresión y rebote repetidos, y no son propensos a daños por fatiga o desgaste. La vida útil puede alcanzar decenas de miles o incluso cientos de miles de veces, lo que es mucho más largo que el de los sellos de goma (generalmente miles de veces). Puede reducir significativamente la frecuencia de mantenimiento y el tiempo de inactividad del sistema de vacío y mejorar la eficiencia de producción.
4.3 Análisis de Adaptabilidad de la Estructura y el Montaje
La ranura de sellado de la válvula de compuerta de vacío es generalmente una ranura rectangular o una ranura trapezoidal. El tamaño de la sección transversal del anillo C metálico se puede personalizar de acuerdo con la estructura de la ranura de sellado existente, sin una modificación importante del cuerpo de la válvula, y tiene una buena adaptabilidad estructural. En comparación con los anillos O metálicos, los anillos C metálicos tienen un rango de compresión más amplio (generalmente del 15% al 30% de la altura de la sección transversal), menores requisitos de precisión de ensamblaje y son fáciles de instalar y depurar. Además, los anillos C metálicos son ligeros, no causarán una carga adicional en el mecanismo de accionamiento de la placa de la válvula y se adaptan a las necesidades de diseño ligero de las válvulas de compuerta de vacío.
4.4 Análisis Económico
Desde la perspectiva del costo inicial, el precio de los anillos C de metal es más alto que el de los sellos de goma, pero su vida útil es mucho más larga que la de los sellos de goma, y pueden reducir el costo de mantenimiento por tiempo de inactividad y el costo de chatarra del producto causados por fallos en el sellado (como la contaminación de obleas causada por fallos en el sellado en la fabricación de semiconductores). En sistemas de vacío de alta gama, las características de sellado a largo plazo de los anillos C de metal pueden reducir significativamente el costo del ciclo de vida y tener buena viabilidad económica. Además, con la madurez de la tecnología de fabricación de anillos C de metal, sus costos de producción se están reduciendo gradualmente, mejorando aún más la viabilidad económica de su aplicación en válvulas de compuerta de vacío.
5. Problemas Potenciales y Soluciones Durante la Aplicación
5.1 Problemas Potenciales
1. Riesgo de daño en la superficie de sellado: La dureza de los anillos en C metálicos es mayor que la de los sellos de goma. Si hay impurezas (como partículas metálicas, polvo) en la superficie de sellado o si la rugosidad de la superficie es alta, los anillos en C metálicos pueden rayar la superficie de sellado durante el proceso de cierre de la placa de la válvula, afectando el rendimiento del sellado.
2. Dificultad en el control de compresión: El rendimiento de sellado de los anillos C metálicos es sensible a la cantidad de compresión. Una cantidad de compresión demasiado pequeña llevará a un ajuste suelto de la superficie de sellado y a fugas; una cantidad de compresión demasiado grande puede causar deformación plástica del anillo C y pérdida de la capacidad de compensación elástica. Si la precisión de posicionamiento del mecanismo de accionamiento de la válvula de compuerta de vacío es insuficiente, la cantidad de compresión puede ser inestable, afectando el efecto de sellado.
3. Atenuación de la elasticidad en entornos de baja temperatura: Aunque el rendimiento a baja temperatura de los anillos C metálicos es superior al de los sellos de goma, la elasticidad de algunos materiales metálicos se atenuará hasta cierto punto en entornos de temperaturas extremadamente bajas (como por debajo de -150℃), lo que puede afectar la capacidad de compensación elástica del sello.
5.2 Soluciones
1. Optimizar el procesamiento y limpieza de la superficie de sellado: Mejorar la precisión del procesamiento de la superficie de sellado del cuerpo de la válvula y reducir la rugosidad de la superficie (se recomienda Ra ≤ 0.8μm); agregar dispositivos de filtrado en el sistema de vacío para reducir las impurezas que ingresan a la parte de sellado; realizar un tratamiento de recubrimiento suave (como niquelado, dorado) en la superficie del anillo C metálico para reducir la dureza del sello y disminuir el daño a la superficie de sellado.
2. Mejorar la precisión de posicionamiento del mecanismo de accionamiento: Adoptar mecanismos de accionamiento de alta precisión (como motores servo, cilindros de precisión) y cooperar con sensores de desplazamiento para lograr un control preciso de la cantidad de compresión; optimizar el diseño de la ranura de sellado de acuerdo con el material y el tamaño de la sección transversal del anillo C metálico, y establecer razonablemente el rango de compresión (generalmente se recomienda del 20% al 25%) para garantizar un rendimiento de sellado estable.
3. Seleccionar materiales adecuados para bajas temperaturas: En condiciones de trabajo de temperaturas extremadamente bajas, seleccionar materiales metálicos con excelente tenacidad a bajas temperaturas (como acero inoxidable austenítico, aleación Inconel), o realizar un tratamiento de envejecimiento a bajas temperaturas en anillos metálicos en C para mejorar su estabilidad elástica en entornos de bajas temperaturas.
6. Conclusiones y Perspectivas
6.1 Conclusiones
Los anillos C de metal son altamente consistentes con las necesidades de sellado de las válvulas de compuerta de vacío debido a su excelente resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, bajo índice de desgasificación, fuerte capacidad de compensación elástica y características de sellado a largo plazo, y tienen buena viabilidad en la aplicación de válvulas de compuerta de vacío. Se refleja específicamente en: ① El rendimiento de sellado es adecuado para condiciones de trabajo de ultra alto vacío, amplio rango de temperatura y medio corrosivo; ② La estructura es adecuada para el diseño de la ranura de sellado de las válvulas de compuerta de vacío existentes, y el ensamblaje es simple; ③ La resistencia a la fatiga es excelente, la vida útil es larga y el costo del ciclo de vida es bajo. Al optimizar el procesamiento de la superficie de sellado, mejorar la precisión de posicionamiento del mecanismo de accionamiento y seleccionar materiales adecuados, se pueden resolver de manera efectiva los problemas potenciales como el daño de la superficie de sellado y la compresión inestable durante la aplicación, garantizando así la fiabilidad del sellado.
6.2 Perspectivas
En el futuro, con la mejora continua de los requisitos de rendimiento de sellado de los sistemas de vacío de alta gama, el prospecto de aplicación de los anillos C metálicos en las válvulas de compuerta de vacío será más amplio. Se recomienda optimizar aún más su rendimiento de aplicación desde los siguientes aspectos: ① Desarrollar nuevos materiales metálicos compuestos para mejorar la resistencia a la corrosión, la elasticidad a baja temperatura y la resistencia al desgaste del sello; ② Adoptar procesos de fabricación avanzados (como la impresión 3D) para realizar la personalización de los anillos C metálicos y adaptarse a estructuras de sellado complejas; ③ Combinar la tecnología de simulación para optimizar el diseño estructural de la ranura de sellado y el anillo C, y mejorar el rendimiento de sellado y la precisión de ensamblaje; ④ Realizar pruebas de condiciones de trabajo a largo plazo, acumular datos de aplicación de anillos C metálicos en diferentes sistemas de vacío y proporcionar un soporte técnico más completo para aplicaciones de ingeniería.